FIB e TEM avançados para análise de wafers

Análise avançada de chips de processo

Análise abrangente das camadas metálicas, camadas M0, estruturas FinFET, etc., de chips de processo avançado de 7 nm e inferiores fabricados e projetados por empresas de fabricação e design de chips. Esta análise é usada para verificar a estabilidade de tecnologias de processos avançados e nós de processos chave, e também pode ser usada para análise de concorrentes e engenharia reversa.

À medida que os processos de fabricação de circuitos integrados continuam a melhorar, os números que representam os principais nós do processo estão ficando cada vez menores, como de processos de 65nm e 40nm para processos de 22nm, 14nm, 7nm, 4nm e 3nm. Números de nós menores indicam processos mais avançados, o que significa melhor integração de gerenciamento de cristal, velocidades de processamento mais rápidas e menor consumo de energia; no entanto, isso também significa maior complexidade da estrutura interna do chip, dimensões estruturais principais menores e um desenvolvimento gradual em direção a dimensões em nanoescala que não podem ser observadas por técnicas gerais de imagem microscópica (como microscópios ópticos).

Como as amostras TEM precisam ser muito finas para que os elétrons penetrem e formem padrões de difração, a pulverização catódica eficiente do FIB permite o processamento preciso das amostras; portanto, o FIB é frequentemente usado para otimizar a preparação de amostras TEM ultrafinas.

A GRGTEST Metrology possui tecnologias patenteadas, incluindo métodos para eliminar o efeito de cortina do feixe de íons focado FIB, um novo método de estrutura de estrutura para preparar amostras ultrafinas TEM sensíveis ao calor usando DB FIB, um método de desbaste-etapa FIB para preparar amostras TEM ultrafinas de materiais frágeis e facilmente rachados, um método de pré-tratamento de seccionamento ultrafino de feixe de íons focado para amostras de wafer de estrutura fina-sensíveis à radiação e um método para preparar Amostras TEM usando corte invertido FIB. Essas tecnologias permitem imagens TEM de alta-resolução sem danos por feixe de elétrons, alcançando caracterização morfológica de resolução em nível-atômico e análise de composição de chips de processos avançados.

Análise de Chip FA - 3Método D TEM

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